| 摘要 |
本发明提供，在矽基板表面以不造成损伤及污染的方式选择性形成氮化矽膜，藉此在同一矽基板内形成种类不相同的复数个闸极绝缘膜，而构成的半导体装置，及其制造方法。在矽基板的表面形成氧化矽膜再去除其一部分，而在去除氧化矽膜的基板面形成氮化矽膜，同时在未去除而留下来的氧化矽膜表面导入氮。此外，在矽基板的表面藉由化学气相成长法堆叠氧化矽膜再去除其一部分，而在去除氧化矽膜的基板面形成氮化矽膜，同时在未去除而留下来的氧化矽膜表面导入氮，接着溶解去除导入氮的氧化矽膜，使基板表面露出，而氧化露出的矽基板的表面及上述氮化矽膜。 |
