以温和的氢化处理来软化费雪-缺卜夕(Fischer- Tropsch)蜡的方法

摘要

本发明揭示一种自合成气体形成烃蜡之新颖方法。本发明教示一种调配费雪－缺卜夕蜡的方法，使得可以将该蜡的软度调整至最终应用之最佳范围内，同时去除不必要杂质，诸如羟基化物(例如一级醇类)、烯烃以及微量水准的芳族化合物，其中该蜡的软度系以蜡类针入度之 ASTM标准试验方法(ASTM D－1321)界定。在费雪－缺卜夕反应器中，于一种催化反应中，自合成气体形成费雪－缺卜夕蜡。然后，在某此条件下，于一种氢化异构触媒上对该费雪－缺卜夕蜡进行相当温和之氢化处理，如此制得基本上无沸点转换，而且发生制得高纯度且硬度降低之烃蜡产物。

主权项

1.一种自合成气体形成烃蜡产物的方法,包括步骤:a)于费雪一缺卜夕反应条件,存在费雪-缺卜夕触媒之下,反应合成气体,并回收具有第一针入度値与第一熔点之费雪一缺卜夕原蜡;b)在氢化异构区中,于氢化异构条件而且存在氢化异构触媒之下,使该费雪一缺卜夕原蜡与与氢接触,并氢化异构该蜡,使得该氢化异构区中由沸点371℃+转化成371℃-的转化率低于10%,如此形成一种具有第二针入度与第二熔点之异构化费雪-缺卜夕蜡。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二熔点比第一熔点低0至5℃,而该第二针入度値比第一针入度値大0至50%。3.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(b)中使用的氢化异构触媒包括一种结合VI族金属之非贵重VIII族金属,其受承载于一种酸性载体上。4.如申请专利范围第2项之方法,其中步骤(b)中使用的氢化异构触媒包括一种结合VI族金属之非贵重VIII族金属,其受承载于一种酸性载体上。5.如申请专利范围第3项之方法,其中步骤(b)所使用的VIII族金属氢化异构触媒系钴,该VI族金属系钼,而该载体系一种氧化矽-氧化铝,而且其中步骤(a)所使用的费雪-缺卜夕触媒包括钴、钌或其混合物。6.如申请专利范围第4项之方法,其中步骤(b)所使用的VIII族金属氢化异构触媒系钴,该VI族金属系钼,而该载体系一种氧化矽-氧化铝,而且其中步骤(a)所使用的费雪一缺卜夕触媒包括钴、钌或其混合物。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该氢化异构触媒包括1至5重量百分比钴以及10至20重量%钼。8.如申请专利范围第2项之方法,其中该氢化异构触媒包括1至5重量百分比钴以及10至20重量%钼。9.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(b)的温和氢化处理/氢化异构条件包括温度204℃至343℃,氢压力700至750psig。10.如申请专利范围第9项之方法,其中步骤(b)的温和氢化异构条件包括温度286℃至321℃。11.如申请专利范围第1项之方法,其中于氢化异构区中沸点自371℃+转化成371℃-之转化率低于5%。12.如申请专利范围第2项之方法,其中于氢化异构区中沸点自371℃+转化成371℃-之转化率低于5%。13.如申请专利范围第11项之方法,其中于氢化异构区中沸点自371℃+转化成371℃-之转化率低于1%。14.如申请专利范围第1项之方法,其中该费雪-缺卜夕方法的特征系不移动条件。15.如申请专利范围第1项之方法,其中该费雪-缺卜夕反应器系一种淤浆泡罩塔反应器。图式简单说明:图1显示本发明方法之示意图。