发明名称 电阻器
摘要 本发明之电阻器之特征在于备有:一基板;一对上面电极层,系设置于该基板之上面者;及一电阻膜,系接续于该一对上面电极层者。该上面电极层系构成有:第1上面电极薄膜层,系对基板及电阻膜之黏着性佳者;及第2上面电极薄膜层,系具有比第1上面电极薄膜层之体积电阻率低之体积电阻率者。又,本发明之电阻器于基板之端缘设置有一对与上面电极层呈电性接续之侧面电极,该侧面电极具有第1侧面电极薄膜层及第2侧面电极薄膜层,而用以形成该第2侧面电极薄膜层之材料系具有与该第1侧面电极薄膜层固溶之固溶性者。
申请公布号 TW577091 申请公布日期 2004.02.21
申请号 TW091103672 申请日期 2002.02.27
申请人 松下电器产业股份有限公司 发明人 中西努;森野贵;八木唯雄;是近哲广
分类号 H01C7/00 主分类号 H01C7/00
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种电阻器,其系包含有:一基板;一对上面电极层,系设置于该基板之上面者;及一电阻膜,其系接续于前述一对上面电极层者,上述一对上面电极层系构成有:第1上面电极薄膜层,系对前述基板及前述电阻膜之黏着性佳者;及第2上面电极薄膜层,系具有比第1上面电极薄膜层之体积电阻率低之体积电阻率者。2.如申请专利范围第1项之电阻器,其并设有至少覆盖于前述电阻膜之保护膜。3.如申请专利范围第1项之电阻器,其并具有重叠于前述一对上面电极层之至少一部分的第2上面电极层,该第2上面电极层系配置成于基板之端缘与该基板呈同一平面者。4.如申请专利范围第1项之电阻器,其系仅使前述第1上面电极薄膜层与前述电阻膜呈电性接续。5.如申请专利范围第1项之电阻器,其中该第1上面电极薄膜层系由Cr或其合金薄膜、Ti或其合金薄膜以及与前述电阻膜同一组成之混合物薄膜中选出之至少一种所形成。6.如申请专利范围第1项之电阻器,其中该第2上面电极薄膜层系由贵金属之元素或其合金薄膜、Al薄膜、及Cu薄膜中选出之至少一种所形成。7.如申请专利范围第3项之电阻器,其中该第2上面电极层自基板算起之最大高度,系大于上述一对上面电极层自基板算起之最大高度。8.如申请专利范围第1项之电阻器,其中该基板之端缘系设有一对与前述一对上面电极层呈电性接续之侧面电极。9.如申请专利范围第8项之电阻器,其中该侧面电极呈ㄈ字形覆盖于前述基板端面之上面、侧面及底面。10.如申请专利范围第8项之电阻器,其中前述侧面电极具有第1侧面电极薄膜层及第2侧面电极薄膜层,而,用以形成该第2侧面电极薄膜层之材料系具有与该第1侧面电极薄膜层固溶之固溶性者。11.如申请专利范围第10项之电阻器,其中该第1侧面电极薄膜层系自Cr或其合金薄膜、Ti或其合金薄膜及NiCr合金薄膜中选出之至少一种所形成。12.如申请专利范围第10项之电阻器,其中该侧面电极更形成有:第2侧面电极薄膜层,系与前述第1侧面电极薄膜层呈电性接续且由Cu系合金薄膜形成者;第1镀膜,系至少覆盖前述第2侧面电极薄膜层且由Ni或其合金所形成者;及第2镀膜,系至少覆盖该第1镀膜者。13.如申请专利范围第10项之电阻器,其中该第2侧面电极薄膜层系含有Ni在1.6重量%以上之Cu-Ni合金薄膜者。14.如申请专利范围第10项之电阻器,其中该第1侧面电极薄膜层及第2侧面电极薄膜层系形成自前述基板之侧面达底面者。图式简单说明:第1图系本发明之第1实施形态中电阻器之剖面图。第2图系同一电阻器于去除侧面电极后之上面图。第3图系本发明之第2侧面电极薄膜层中使用的Cu-Ni合金薄膜的平衡状态图。第4图系第1侧面电极薄膜层与第2侧面电极薄膜层藉SIMS之组成分析结果说明图。第5图系评定镀膜之接着强度的实验方法说明图。第6图系本发明之第2实施形态中电阻器之剖面图。第7图系同一电阻器于去除侧面电极后之上面图。第8图系习知之电阻器的剖面图。
地址 日本