| 摘要 |
即使在使用一薄的闸极绝缘薄膜时，LDD区域可适当地形成，且一杂质可适当地被活化。于形成一闸极电极后，使用一用于蚀刻闸极绝缘薄膜时所用之罩模作为光阻罩模，而在高密度下植入一n-型杂质。一SiO2薄膜系使用以作为第一层间绝缘薄膜，且而后使用一雷射以进行活化。藉使用光阻罩模而植入杂质以蚀刻原位之左侧，可避免LDD区域中之过多n-型杂质植入的问题，而不添加一光微影制程，即使是在使用一薄的闸极绝缘薄膜时亦可。高密度杂质-植入区域(即，源极与汲极区域)对于雷射的反射率与LDD区域的反射率实质上系彼此相等，其系藉依闸极绝缘薄膜之厚度而改变SiO2薄膜(即，第一层绝缘薄膜)的厚度而达成，其允许此等区域同时且充分地被活化。 |
