半导体装置之制造方法

摘要

闸电极由包含多个导电层的叠层结构形成，从而沿下部第一导电层的通道的宽度大于沿上部第二导电层的通道的宽度。在用于形成LDD的离子掺杂过程中，闸电极被用作掩模。结合干刻制程，用于形成闸电极的掩模图案被加工成最佳形状，从而与闸电极重叠的LDD(Lov)为1μm或1μm以上，较佳1.5μm或1.5μm以上。