| 摘要 |
包含多数闸极线路、多数闸极垫125连接至闸极线路的一端及多数闸极电极123连接至该等闸极线路的一闸极配线以及一用以接收一共同电压的储存配线系形成基材上。一半导体层及一欧姆接触层系形成在覆盖该闸极配线及储存配线的闸极绝缘层上。一资料配线系接着形成在其上，该资料配线包含多数沿着闸极线路界定多数像素区域的资料线路、多数延伸至半导体层的源极电极、及多数汲极电极与源极电极分离并相关于闸极线路与源极电极相对。多数重叠储存配线以形成储存电容的储存电容导体系形成在该闸极绝缘层上。储存电容导体包含多数修复部份由该处延伸出并重叠该等闸极线路。一钝化层系形成在该资料配线上以及半导体层未被资料配线所覆盖之部份上，及多数经由多数接触孔，连接至汲极电极及储存电容导体的像素电极被形成在该钝化层上。 |
