| 摘要 |
一种包括一记忆体阵列之半导体记忆装置，该记忆体阵列包含能够储存至少1位元之资料的复数个记忆单元，该半导体记忆装置包括：一资料写入控制段，用于控制对该等复数个记忆单元的资料写入作业；一位址信号产生段，用于产生一位址信号，该位址信号系表示一指定之记忆单元的位址；一决策段，用于判断是否将资料写入至该指定之记忆单元，以及输出一第一写入信号；一资料暂存器段，用于储存藉由该第一写入信号所表示的资料，以及输出一第二写入信号；以及一资料写入段，用于依据该第二写入信号，将资料写入至该指定之记忆单元。该资料暂存器段依据该资料写入控制段所输出的一控制信号来储存资料。 |
