| 摘要 |
为了将开关电路装置设成5GHz之装置，必须设置分流FET，然而在闸极电极邻接之TFT间，为了提升隔离性，必须确保20μm程度的间隔距离。本发明提供一种半导体装置，其系在FET的闸极电极以及电极焊垫、配线所邻接的其他TFT、闸极金属层、杂质领域之间设置高浓度杂质领域，以抑制耗尽层的扩张。在FET的遮罩对位上，系藉由使用设置在源极汲极领域上的氧化膜，提升遮罩对位的精确度。即使缩小闸极宽度亦能够提升FET的基本性能，并藉由与先前同等的特性，可收缩闸极宽度，且减低FET间的间隔距离，因此得以实现隔离性提升之5GHz开关。 |
