发明名称 新颖硫醚衍生物,其制造方法及用途
摘要 本发明提供一种受到光或电能刺激可立即感应发光,例如可做为记忆开关机构材料用之新颖树枝状体(Dendrimer)化合物。一种树枝状体化合物,其特征为含有下列必须之构成要素为核心与下式:[式中,环A表示纯碳或含杂原子之六员环]表示之单元1所成之树枝状构造以及表面官能基。
申请公布号 TW588036 申请公布日期 2004.05.21
申请号 TW090128655 申请日期 2001.11.20
申请人 独立行政法人通信总合研究所 发明人 三木秀树;中滨龙夫;横山士吉;益子信郎
分类号 C07C321/24 主分类号 C07C321/24
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路八十号六楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路八十号六楼
主权项 1.一种树枝状体化合物,其特征为含有下列必须之构成要素:核心与下式表示之单元1:[式中,环A表示纯碳或含杂原子之六员环]所形成之树枝状构造,以及表面官能基。2.一种树枝状体化合物,其特征为由核心与申请专利范围第1项之单元1,下式表示之单元2:[式中,环A表示纯碳或含杂原子之六员环]或/及下式表示之单元3:[式中,环A表示纯碳或含杂原子之六员环]形成之树枝状构造,以及表面官能基所构成。3.一种树枝状体化合物,其特征为由核心与具有申请专利范围第1项之单元1形成之部分树枝状构造,申请专利范围第2项之单元2形成之部分树枝状构造及申请专利范围第2项之单元3形成之部分树枝状构造中之2种以上部分树枝状构造之树枝状构造,以及表面官能基所形成。4.如申请专利范围第2项之树枝状体化合物,其中该树枝状构造之阶层数为2至10,且该树枝状构造为由申请专利范围第1项之单元1形成之阶层,申请专利范围第2项之单元2形成之阶层,或/及申请专利范围第2项之单元3形成之阶层所构成。5.如申请专利范围第2项之树枝状体化合物,其中之单元1.单元2及单元3之环A为苯环、嘧啶环或三环。6.如申请专利范围第1项之树枝状体化合物,其中之表面官能基为可被取代之烷基、可被取代之芳烷基、烷氧基、烷羧基或第四级铵基。7.如申请专利范围第6项之树枝状体化合物,其特征为该表面官能基为第三丁基。8.如申请专利范围第1至7项中任一项之树枝状体化合物,其中之核心为发色官能基。9.如申请专利范围第1至7项中任一项之树枝状体化合物,其中之核心系从若丹明色素、唑、二嵌苯、偶氮化合物、2,5-二羟基安息香酸甲酯、、4,4'-二羟基联苯、1-(4,4',4"-三羟基联苯)乙烷及香豆素衍生物中选出之化合物之残基。10.一种下式表示之硫化合物[式中,环A为所表示之环,结合键延伸之位置上具有取代基B、取代基C及取代基D,上述环之结合键以外之位置亦可被取代,取代基B表示-S(O)nR1,{式中,n表示0至2之整数,R1表示取代基},取代基C表示X1R2,{式中,X1表示中介基,R2表示取代基},以及取代基D表示经由碳原子与环A结合之取代基]。11.如申请专利范围第10项之硫化合物,其中该R1及R2分别为相同或互异之硷金属、氢原子、可被取代之烷基、芳烷基、胺甲醯基或硫代胺甲醯基。12.如申请专利范围第10项之硫化合物,其中该X1为亚甲基、二甲基亚甲基、氧原子、硫原子、亚基或磺酸基。13.如申请专利范围第10至12项中任一项之硫化合物,其中该取代基D为氰基、甲醯基或X2R3所表示之基[式中,X2表示可被取代之亚甲基、羰基或硫羰基,R3表示可被保护之羟基、巯基或胺基(但是,X2为羰基且R3为羟基之情况除外)]。14.一种下式表示之化合物或其盐类:[式中,R1及R2分别表示(1)钠、钾等硷金属,(2)氢原子,(3)可被氟原子、氯原子、溴原子、烷氧基或硫烷氧基等取代之烷基,(4)可被上述取代基取代之苯基,或(5)可被上述取代基取代之芳烷基,(6)下式表示之二取代胺甲醯基或硫胺甲醯基:(其中,R7表示(1)可被氟原子、氯原子、溴原子等卤素原子取代之烷基,(2)可被上述取代基取代之苯基,或(3)可被上述取代基取代之芳烷基,Z表示氧原子或硫原子);n表示0至2之整数;X表示亚甲基、二甲基亚甲基、氧原子、硫原子、亚或磺酸基;R3及R4表示(1)氢原子,(2)可被氟原子、氯原子及溴原子等卤素原子取代之烷基,(3)可被上述取代基取代之苯基,或(4)可被上述取代基取代之芳烷基,或者,R3及R4亦可结合,形成次甲基、酮基或硫酮基,而且,C、R3.R4及R5亦可形成氰基;R5表示(1)羟基,(2)巯基,(3)胺基,(4)甲醯基,(5)可被氟原子、氯原子、溴原子等卤素原子取代之烷基,(6)可被上述取代基取代之烷氧基,或(7)可被上述取代基取代之硫代烷氧基,(8)可被上述取代基取代之苯基,或(9)可被上述取代基取代之芳烷基;R6表示氢、羟基、烷基、烷氧基、烷硫基、硝基、氰基、二甲基胺基、或二乙基胺基]。图式简单说明:第1图表示本发明单一电子隧道元件各层构造之模式图。第2图表示本发明单一电子隧道元件一个实例之平面图。第3图为第2图之XX线处之断面图。第4图为将第2图元件之接合部分扩大之概念图。第5图为本发明之单一电子隧道元件于5.2K呈现I-V特性之图形。
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