具有焊块底部金属化结构的半导体装置及其制程

摘要

一种具有焊块底部金属化结构的半导体装置及其制程，是在至少一形成有多个焊垫的半导体装置本体表面覆盖一保护层，且该保护层具有多条开孔以露出该焊垫；再在该焊垫上形成一第一金属层，并使该第一金属层能够部分覆盖在该焊垫及焊垫周围的保护层上；接着在该第一金属层上形成一第二金属层，以覆盖住该第一金属层及其余外露出该第一金属层的部分焊垫，与至少一覆盖在该第二金属层的第三金属层，以完成一焊块底部金属化结构层；之后在该焊块底部金属化结构层上形成一焊块，同时提供该焊块底部金属化结构层与该焊垫间良好的接合效果与电性连接功能。

主权项

1.一种具有焊块底部金属化结构的半导体装置，其特征在于，该半导体装置包括：一半导体装置本体，并在该本体表面形成有多个焊垫；一保护层，是覆盖在该半导体装置本体的表面，并形成有多条开孔以外露出该焊垫；多个焊块底部金属化结构层，该焊块底部金属化结构层包含多个的金属层以形成在周围覆盖有该保护层的焊垫外露表面上，其中第一金属层是形成在该焊垫上，用以覆盖住部分焊垫及焊垫周围的保护层，第二金属层是形成在该第一金属层上，覆盖住该第一金属层及其余外露在该第一金属层的部分焊垫；以及多个焊块，形成在该焊块底部金属化结构层上。