场发射源组件的金属性纳米丝或纳米管的植入方法

摘要

本发明运用外加静电场作为驱动力，使得金属性纳米丝(nanowire)或纳米管(nanotube)飞行植入于基板上的涂覆层而产生取向，此具取向性金属纳米丝或纳米管的结构，可利用作为场发射显示器的场发射源。

主权项

1.一种场发射显示器的场发射源组件的金属性纳米丝或纳米管的植入方法，包含下列步骤：a)将金属性纳米丝或纳米管平铺于一水平的隔绝层上；b)将一具有涂覆层的基板，以该涂覆层面对该平铺的金属性纳米丝或纳米管的方式，实质上平行的隔空置于该基板上；c)施加一垂直方向的静电场于包含该隔绝层与该基板的一空间，使得该金属性纳米丝或纳米管飞行植入该涂覆层；其中该隔绝层包含半导性或绝缘性材料的单层构造或它们两者组合的多层构造，以提供该金属性纳米丝或管与外界的绝缘；及该涂覆层为刚性比该金属性纳米丝或纳米管小的高分子材料、高分子材料与金属性材料混合材料、金属材料或半导性材料或绝缘性材料所构成，以允许该金属性纳米丝或纳米管在该静电场的作用下飞行植入该涂覆层。