| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明方法的目的在于：不使被加工膜削损而有选择地除去掩模材，容易地形成微细图案。该方法的具体步骤如下：在衬底(11)上形成栅氧化膜(12)，在栅氧化膜上形成多晶硅膜(13)，在多晶硅膜上形成作为掩模材的钌膜(14)，在钌膜上形成光刻胶图案(15)；以光刻胶图案(15)为掩模使钌膜(14)形成图案后，使形成了图案的钌膜(14a)收缩；以收缩了的钌膜(14b)为掩模使多晶硅膜(13)形成图案后，将钌膜(14b)除去。 | ||
| 申请公布号 | CN1503323A | 申请公布日期 | 2004.06.09 |
| 申请号 | CN200310116474.4 | 申请日期 | 2003.11.18 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 松沼健司 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L21/28;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：在衬底上形成被加工膜的工序；在所述被加工膜上形成掩模材的工序；在所述掩模材上形成光刻胶图案的工序；以所述光刻胶图案为掩模使所述掩模材形成图案的工序；使形成了图案的所述掩模材收缩的工序；以收缩了的所述掩模材为掩模使所述被加工膜形成图案的工序；以及将所述掩模材除去的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||