具有单边埋藏带之记忆胞的制造方法

摘要

本发明提供一种具有单边埋藏带之记忆胞的制造方法。提供具有沟槽的一基底，沟槽下部有一沟槽电容。形成一领圈绝缘层于沟槽上部的侧壁上。形成一导体层于沟槽电容上方。去除部分的导体层与领圈绝缘层而形成具有第一与第二侧壁之一开口，且领圈绝缘层顶部低于第一导体层顶部。对第一侧壁表面进行含氟离子之倾角度植入制程。进行热氧化制程，形成一第一氧化层于第一侧壁上，以及形成一第二氧化层于第二侧壁上，第一氧化层厚度大于第二氧化层厚度。去除第二氧化层。形成埋藏带于开口底部，埋藏带系藉由第一氧化层而与第一侧壁绝缘隔离。伍、(一)、本案代表图为：第2E图。(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明：200~半导体基底；202~氧化垫层；204~氮化矽层；210~垫层；212~深沟槽；214’~领圈氧化层；216’~第一导体层；218~开口；2181~第一侧壁；2182~第二侧壁；220~含氟离子之倾角度植入制程。

主权项

1.一种具有单边埋藏带之记忆胞的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底具有一沟槽;形成一沟槽电容于该沟槽之下部;形成一领圈绝缘层于该沟槽之上部的周围壁上;形成一第一导体层于该沟槽电容上方,并填满该沟槽;去除部分该第一导体层与部分该领圈绝缘层而形成一开口,其中剩余之领圈绝缘层之顶部表面低于剩余之第一导体层之顶部表面,而该开口具有一第一侧壁与一第二侧壁;对该第一侧壁之表面进行一含氟离子之倾角度植入制程;进行一热氧化制程,而形成一第一氧化层于该第一侧壁上,以及形成一第二氧化层于该第二侧壁上,其中该第一氧化层之厚度大于该第二氧化层之厚度;去除该第二氧化层而露出该第二侧壁;以及形成当作是一埋藏带的一第二导体层于该开口之底部,其中该第二导体层系藉由该第一氧化层而与该第一侧壁绝缘隔离。2.如申请专利范围第1项所述之具有单边埋藏带之记忆胞的制造方法,更包括下列步骤:形成一绝缘层于该第二导体层上;形成一闸极绝缘层于该第二侧壁上;形成一闸极于该开口中;以及形成一源极区与一汲极区于该基底中。3.如申请专利范围第1项所述之具有单边埋藏带之记忆胞的制造方法,其中该沟槽之形成步骤包括:形成一图案化的垫层(pad layer)于该基底上;以及以该垫层为罩幕,去除部分该基底而形成该沟槽于该基底中。4.如申请专利范围第1项所述之具有单边埋藏带之记忆胞的制造方法,其中该基底系一矽基底。5.如申请专利范围第3项所述之具有单边埋藏带之记忆胞的制造方法,其中该垫层系由一氧化垫层与一氮化层所堆叠组成。6.如申请专利范围第1项所述之具有单边埋藏带之记忆胞的制造方法,其中该领圈绝缘层系一SiO2层。7.如申请专利范围第1项所述之具有单边埋藏带之记忆胞的制造方法,其中该第一导体层系一经掺杂之多晶矽层。8.如申请专利范围第1项所述之具有单边埋藏带之记忆胞的制造方法,其中该含氟离子之倾角度植入制程系植入F+离子或BF2+离子于该第一侧壁表面。9.如申请专利范围第1项所述之具有单边埋藏带之记忆胞的制造方法,其中该含氟离子之倾角度植入制程之能量范围系15~30keV。10.如申请专利范围第9项所述之具有单边埋藏带之记忆胞的制造方法,其中该含氟离子之倾角度植入制程之剂量范围系1E14~4.5E15 ions/cm2。11.如申请专利范围第1项所述之具有单边埋藏带之记忆胞的制造方法,其中该热氧化制程之温度范围系900 ~ 950℃。12.如申请专利范围第1项所述之具有单边埋藏带之记忆胞的制造方法,其中该第二导体层系一经掺杂之多晶矽层。13.如申请专利范围第2项或所述之具有单边埋藏带之记忆胞的制造方法,其中该闸极氧化层系经由热氧化法(thermal oxidation)所形成的SiO2层。14.如申请专利范围第13项所述之具有单边埋藏带之记忆胞的制造方法,其中该热氧化法之温度范围系800 ~ 1000℃。15.一种具有单边埋藏带之记忆胞的制造方法,包括下列步骤:提供一基底;形成一图案化之垫层于该基底上;以该垫层为罩幕,去除部分基底而形成一沟槽于该基底中;形成一沟槽电容于该沟槽之下部;形成一领圈绝缘层于该沟槽之上部的周围壁上;形成一第一导体层于该沟槽电容上方,并填满该沟槽;去除部分该第一导体层至一既定沟槽深度;去除位于该第一导体层上方之该领圈绝缘层而形成一开口,其中剩余之领圈绝缘层之顶部表面低于剩余之第一导体层之顶部表面,而该开口具有一第一侧壁与一第二侧壁;对该第一侧壁之表面进行一含氟离子之倾角度植入制程;进行一热氧化制程,而形成一第一氧化层于该第一侧壁上,以及形成一第二氧化层于该第二侧壁上,其中该第一氧化层之厚度大于该第二氧化层之厚度;去除该第二氧化层而露出该第二侧壁;形成当作是一埋藏带的一第二导体层于该开口之底部,其中该第二导体层系藉由该第一氧化层而与该第一侧壁绝缘隔离;形成一绝缘层于该第二导体层上;形成一闸极绝缘层于该第二侧壁上;形成当作是一闸极的一第三导体层于部分该开口中形成一间隙壁于该开口之侧壁上;形成一第四导体层填满该开口;形成一第五导体层于该第四导体层上;以及形成一源极区与一汲极区于该基底中。16.如申请专利范围第15项所述之具有单边埋藏带之记忆胞的制造方法,其中该基底系一矽基底。17.如申请专利范围第15项所述之具有单边埋藏带之记忆胞的制造方法,其中该含氟离子之倾角度植入制程系植入F+离子或BF2+离子于该第一侧壁表面。18.如申请专利范围第15项所述之具有单边埋藏带之记忆胞的制造方法,其中该含氟离子之倾角度植入制程之条件包括:能量范围系15~30keV以及剂量范围系1E14~4.5E15 ions/cm2。19.如申请专利范围第15项所述之具有单边埋藏带之记忆胞的制造方法,其中该热氧化制程之温度范围系900~950℃。20.如申请专利范围第15项或所述之具有单边埋藏带之记忆胞的制造方法,其中该闸极氧化层系经由热氧化法(thermal oxidation)所形成的SiO2层。图式简单说明:第1A~1H图系显示习知之具有垂直式电容器之记忆胞的制程剖面图。第2A~2J图系显示本发明之具有单边埋藏带之记忆胞的制程剖面图。