| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,包含有;准备,排齐配置有多数制品形成领域,在上述制品形成领域的主面及其相反面的背面分别有配线,上述主面及背面的配线是由上述主面贯穿至上述背面的导体以电气方式连接的基板之制程;在上述基板的主面的各制品形成领域分别固定半导体晶片,以导电性的连接构件电气方式连接上述各半导体晶片上面的电极与上述基板主面的配线之制程;将上述基板夹在传递模塑装置的成形模具的下模具及上模具间再锁紧模具,形成在上述基板的主面侧的空腔,及连通此空腔的闸口及通气孔,然后从上述闸口将溶融的绝缘性树脂送进上述空腔内,同时,将上述空腔内的空气从上述通气孔挤出到上述空腔外,在上述基板的主面侧形成覆盖上述各半导体晶片及上述各连接构件的由单一树脂形成的整块封闭体之制程;以及,在一定处所纵横向分割相互重叠的上述基板及上述整块封闭体,而形成多数半导体装置之制程;其特征在于,在上述基板的周缘部分,以部分方式配设深及上述基板缘的沟,将上述基板夹在上述成形模具的下模具与上模具间再锁紧模具时,由上述沟形成上述通气孔。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,接触于上述上模具的上述基板的分离面,除了上述闸口部分以外成为位于同一平面上的面,此位于同一平面上的面在上述锁紧模具时接触于上述基板的主面,与上述沟一起构成上述通气孔。3.如申请专利范围第1项或第2项之半导体装置之制造方法,其中,上述沟的内端较上述空腔的边缘位于空腔内。4.如申请专利范围第1或2项之半导体装置之制造方法,其中,上述制品形成领域成纵横排列多列。5.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法,其中,上述基板呈四方形状,同时上述制品形成领域也呈四方形状,上述制品形成领域的一边与上述基板的一边平行。6.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法,其中,上述沟分别配设在固定于上述制品形成领域的半导体晶片的各晶片列领域的延长线上。7.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法,其中,上述沟不配设在固定于上述制品形成领域的半导体晶片的各晶片列间领域的延长线上。8.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法,其中,上述沟的宽度较半导体晶片的宽度小。9.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中,上述沟的宽度约为半导体晶片宽度的一半。10.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,上述沟是夹着上述空腔配设在与上述闸口相反的一侧。11.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,上述沟是设在四方形的上述空腔的配设上述闸口的一边以外的其他3边。12.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,上述连接构件是导电性的导线。13.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,上述各制品形成领域搭载多数半导体晶片。14.如申请专利范围第3项之半导体装置之制造方法,其中,上述各制品形成领域重叠搭载多数半导体晶片。15.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,上述沟是选择性配设拟设在构成上述基板的母材表面的物质,以不配设领域与其两侧的要配设部分形成上述沟。16.如申请专利范围第15项之半导体装置之制造方法,其中,上述沟是由,设在构成上述基板的母材表面的导电层的有配设部分与无配设部分,所形成。17.如申请专利范围第15项之半导体装置之制造方法,其中,上述沟是由,设在构成上述基板的母材表面的绝缘层的有配设部分与无配设部分,所形成。18.如申请专利范围第15项之半导体装置之制造方法,其中,上述沟是由:设在构成上述基板的母材表面的导电层的有配设部分与无配设部分;以及,覆盖上述配线的绝缘层的有配设部分与无配设部分;所形成。19.如申请专利范围第15项之半导体装置之制造方法,其中,上述沟是由:设在构成上述基板的母材表面的导电层的有配设部分与无配设部分;以及,包含上述导电层之设在上述基板主面的上述绝缘层的凹陷部分;所形成。20.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,上述封装用树脂所含填料的最大粒径较上述通气孔的高度为高。21.如申请专利范围第20项之半导体装置之制造方法,其中,上述封装用树脂是环氧系树脂或聚醯胺系树脂。22.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中,上述闸口的排列间距较上述半导体晶片的排列间距小。23.一种半导体装置之制造方法,包含有;准备,排齐配置有多数制品形成领域,在上述制品形成领域的主面及其相反面的背面分别有配线,上述主面及背面的配线是由上述主面贯穿至上述背面的导体以电气方式连接的基板之制程;在上述基板的主面的各制品形成领域分别固定半导体晶片,以导电性的连接构件电气方式连接上述各半导体晶片上面的电极与上述基板主面的配线之制程;将上述基板夹在传递模塑装置的成形模具的下模具及上模具间再锁紧模具之制程;然后藉由从成形模具的树脂注入闸口将绝缘性树脂送进上述成形模具之空腔内,将上述空腔内的空气从被配置在与上述闸口之相反方向的通气孔挤出到上述空腔外,使得在上述基板的主面侧形成覆盖上述各半导体晶片及上述各连接构件的由单一树脂形成的整块封闭体之制程;以及,在一定处所纵横向分割相互重叠的上述基板及上述整块封闭体,而形成多数半导体装置之制程;其特征在于,在上述基板的周缘部分,以部分方式配设深及上述基板缘的沟,将上述基板夹在上述成形模具的下模具与上模具间再锁紧模具时,由上述沟形成上述通气孔。图式简单说明:第1图是表示本发明一实施形态(实施形态1)的半导体装置之制造方法,使用绝缘性树脂的整批封装状态的模式截面图。第2图是表示上述整批封装状态时的基板主面的半导体晶片的配置关系,及晶片列与排气孔或闸口的配置关系的模式图。第3图是表示上述整批封装状态时的其他基板的半导体晶片的配置关系,及晶片列与排气孔或闸口的配置关系的模式图。第4图是表示本实施形态1的半导体装置之制造方法所使用基板,其形成通气孔用的各种构造的沟的模式截面图。第5图是表示本实施形态1的半导体装置之制造方法所使用基板,其形成通气孔用的沟的其他配置例子的模式平面图。第6图(A)是表示本实施形态1的半导体装置的概略架构的模式平面图及模式截面图。第6图(B)是表示本实施形态1的半导体装置的模式截面图。第7图是放大第6图(B)的一部分的模式截面图。第8图是制造本实施形态的半导体装置时所使用的基板的模式平面图。第9图是放大第8图的一部分的模式平面图。第10图是沿第9图的b-b线的模式截面图。第11图是表示在主面固定半导体晶片的上述基板的一部分的模式截面图。第12图是表示以导线连接上述半导体晶片的电极垫与基板连接部的上述基板的一部分的模式截面图。第13图是表示锁紧在整批封装用成形模具的基板的模式截面图。第14图是表示上述成形模具的上模具的概略架构的模式平面图。第15图是表示上述成形模具的下模具的概略架构的模式平面图。第16图是表示上述成形模具的所紧模具状态的模式截面图。第17图是在主面侧形成树脂封装体的上述基板的模式截面图。第18图是在背面形成突起状电极的上述基板的模式截面图。第19图是表示黏贴在切割片的上述树脂封装体及分割上述基板的状态的模式截面图。第20图是表示以本发明其他实施形态(实施形态2)的半导体装置之制造方法制造的半导体装置的模式截面图。第21图是表示以本发明其他实施形态(实施形态3)的半导体装置之制造方法制造的半导体装置的模式截面图。第22图是表示在本发明之前检讨的半导体装置之制造业方法,使用绝缘性树脂的整批封装状态的模式截面图。第23图是表示在本发明之前检讨的上述整批封装状态的基板主面时半导体晶片的配置关是,及晶片列与排气孔或闸极的良好配置关是的模式图。第24图是表示在本发明的前检讨的上述整批封装状态的基板主面时半导体晶片的配置关系,及晶片列与排气孔或闸口的不良配置关系的模式图。第25图是沿第2图B-B'线的截面图。第26图是表示本发明其他实施形态的整批封装状态时,基板主面的半导体晶片的配置关系,及晶片列与排气孔或闸口的配置关系的模式图。第27图是沿第26图D-D'线的截面图。第28图是表示本发明其他实施形态的整批封装状态时,基板主面的半导体晶片的配置关系,及晶片列与排气孔或闸口的配置关系的模式图。第29图是表示沿着第28图之E-E'线的截面图。 |
