| 摘要 |
〔课题〕提供一种制造半导体装置之方法，于半导体隔离(isolation)形成方法中，于半导体基板上形成适当深度之沟渠(trench)，于此沟渠之内部使得绝缘膜充电之浅沟渠隔离与深沟渠隔离之形成时，无其他蚀刻制程，而藉由一次之蚀刻制程一直线形成于同一基板上。〔解决手段〕准备具有既定之下部构造之半导体基板100；依序形成垫氧化膜(padoxide)110、氮化物膜120及第一感光膜于上述半导体基板100上；将第一感光膜图案化成具有既定形状，而形成第一感光膜图案130；藉由使用上述第一感光膜图案130作为遮罩来蚀刻上述垫氧化膜110、氮化物膜120及上述半导体基板100而形成第一及第二深沟渠隔离(trenchisolation)140、145；除去上述第一感光膜图案130再形成第二光膜图案150于形成有结果物上之第一深沟渠隔离140之区域后，进行氮化处理制程而形成阻障膜于第二深沟渠隔离145之内壁；及除去上述第二感光膜图案150后，进行矽磊晶成长制程，成长被第二感光膜所覆盖之第一深沟渠隔离145区域之内部矽，而形成浅深沟渠隔离180。 |
