| 摘要 |
一种适用于高温操作之氢气感测器及其制法，此氢气感测器结构成长在半绝缘型半导体基板上，其磊晶结构包含未掺杂之砷化镓半导体缓冲层，以及n型磷化铟镓半导体薄膜。在磊晶成长之后接着利用真空蒸镀的技术于n型磷化铟镓薄膜层表面蒸镀一层金–锗–镍合金做为二极体式氢气感测器之欧姆式接触阴极电极，接着在n型半导体薄膜层表面上成长一层很薄之氧化层，并在此氧化层上蒸镀钯或铂金属，作为二极式氢气感测器之肖特基接触式阳极电极。由于钯或铂金属对氢气具有良好的触媒活性，当氢气分子吸附于钯或铂金属表面时，会被解离为氢原子，而大部分氢原子将会扩散穿透钯或铂金属层，并于钯或铂金属与氧化层薄膜介面造成极化作用，形成偶极矩层，此一偶极矩层将改变钯或铂金属与氧化层介面之电场，进而降低了金属–半导体肖特基能障高度。因此，当接触氢气后，将可改变元件之电流–电压特性，进而达成感测氢气之目的。 |
