| 摘要 |
一种增进化学研磨程序终点侦测稳定度之方法。首先，在半导体底材中形成开口，且在此半导体底材与开口之表面沉积一晶种层，接着对此半导体底材进行多段式沈积程序。其中，每一段该沈积程序包含先施行化学电镀程序，以形成预定厚度之金属层于半导体底材之上表面，且沿着开口表面覆盖；而后，接续进行化学机械研磨法，以除去位于半导体底材上表面之部分该金属层，并避免位于其下之晶种层被移除。其中，上述之预定厚度为后续进行该化学机械研磨法时，可稳定侦测终点位置之允许厚度。当开口被填满后，停止该多段式沈积程序，最后移除位于半导体底材上表面之部分金属层，以形成镶嵌结构于开口中。 |
