可去除半导体晶圆表面铜氧化物及水气之系统与制程

摘要

本发明系关于一种可去除半导体晶圆表面铜氧化物及水气之系统与制程，特别是有关于一种可去除半导体晶圆表面铜氧化物及水气之超临界二氧化碳系统与制程，依据本发明之系统包括：超临界二氧化碳装置以形成超临界二氧化碳流体；反应前处理装置用以添加助溶剂及用以提升该超临界二氧化碳流体温度；反应腔体于与预定温度及预定压力下提供半导体晶圆与超临界化二氧化碳流体反应；终点侦测器与该反应腔体连接以侦测半导体晶圆之反应终点；以及回收装置以收集来自该终点侦测器及该超临界二氧化碳装置之流体。