| 摘要 |
本发明系在脊状波导型半导体雷射中，提供一种可防止安装时发生之雷射特性异常及寿命特性之劣化之新雷射元件构造。在具备形成于p侧半导体层14之波导形成用之脊状部14a、覆盖成脊状部顶面之至少一部分露出之绝缘保护膜17、欧姆接触于由该处露出之脊状部之p侧欧姆电极15及形成电气接触于p侧欧姆电极之p侧垫电极19之脊状波导型半导体雷射中，在p侧欧姆电极与p侧垫电极之间形成可防止低熔点金属扩散之扩散防止层30，扩散防止层覆盖至少由绝缘保护膜17露出之脊状部14a。利用扩散防止层抑制低熔点金属由安装用之导电性接合剂扩散至脊状部，良好地维持p侧欧姆电极与p型氮化物半导体层之欧姆接触。 |
