发明名称 功率分配系统之共振频率之调离方法
摘要 藉由无共振环境而增强高速数位信号之杂讯免疫力之方法。共振调离系藉由适当地重新调整电源/接地平面之布局而达成。使用频率领域来模拟功率分配系统之共振性质,包括有共振频率与场分布特性。共振场形分布之分析显示出主要模式之电场分布通常集中于平面边缘之附近。因而,可经由设定边界条件而有效地使共振调离操作频率范围。此外,品质因子随着外界探针位置而变化提供了监视与建构共振场分布之手段。本方法适用于任何几何形状的电源/接地平面布局。并藉由重新调整一Y形功率分配系统,以展示如何有效地实现无共振操作环境。
申请公布号 TWI221237 申请公布日期 2004.09.21
申请号 TW091136048 申请日期 2002.12.12
申请人 矽统科技股份有限公司 发明人 张存续
分类号 G06F17/50 主分类号 G06F17/50
代理机构 代理人 许峻荣 新竹市民族路三十七号十楼
主权项 1.一种共振频率之调离方法,使用于一功率分配系统之一电源/接地平面中,该方法包含下列步骤:基于一共振模式之一电场之一强度分布而确定该电源/接地平面之至少一区域,使得该电场之该强度分布中之一相对高的强度系位于该至少一区域中,以及重新调整该至少一区域。2.如申请专利范围第1项之共振频率之调离方法,更包含:在确定该电源/接地平面之该至少一区域之前,确定该共振模式之该电场之该强度分布。3.如申请专利范围第2项之共振频率之调离方法,其中该共振模式之该电场之该强度分布系藉由依据电磁学理论之数学方程式分析或使用商业上可得的软体之数値模拟所确定。4.如申请专利范围第2项之共振频率之调离方法,其中该共振模式之该电场之该强度分布系藉由下列步骤所确定:a)在一频率领域中对于该电源/接地平面之一位置测量一反射系数S11;b)依据下列方程式计算该电场f之一强度: ;以及c)重复该步骤a)与b)遍及该电源/接地平面,以建构该电场之该强度分布。5.如申请专利范围第1项之共振频率之调离方法,其中该至少一区域系藉由减低该至少一区域之尺寸而重新调整。6.如申请专利范围第1项之共振频率之调离方法,其中该共振模式之该频率系调离至一相对高的频率。7.如申请专利范围第1项之共振频率之调离方法,其中该共振模式系一基谐模式。8.如申请专利范围第1项之共振频率之调离方法,其中该电源/接地平面之一部分系一圆形微带。9.如申请专利范围第1项之共振频率之调离方法,其中该电源/接地平面之一部分系一矩形微带。10.如申请专利范围第9项之共振频率之调离方法,其中重新调整该至少一区域之该步骤系藉由缩短该矩形微带之长度而实现。11.如申请专利范围第1项之共振频率之调离方法,其中该电源/接地平面之一部分系一Y形微带,该Y形微带具有一中心杆与连接至该中心杆之一端的二翅部。12.如申请专利范围第11项之共振频率之调离方法,其中重新调整该至少一区域之该步骤系藉由从该Y形微带之该中心杆之另一端缩短该中心杆之长度而实现。图式简单说明:图1A至1D显示圆形微带共振器之首先四个共振模式之电场分布轮廓之图;图2A至2D显示矩形微带共振器之首先四个共振模式之电场分布轮廓之图;图3A显示在圆形微带共振器之不同位置处所测得的反射系数S11与扫描频率之图,而图3B显示在矩形微带共振器之不同位置处所测得的反射系数S11与扫描频率之图;图4A显示圆形微带共振器之基谐模式之相对电场强度,而图4B显示矩形微带共振器之基谐模式之相对电场强度;图5显示依据本发明之PDS共振频率之调离方法之流程图;图6A显示依据本发明之圆形微带共振器之重新调整方法之示意图,而图6B显示圆形微带共振器之重新调整对于共振频率之影响;图7A显示依据本发明之矩形微带共振器之重新调整方法之示意图,而图7B显示矩形微带共振器之重新调整对于共振频率之影响;图8显示Y形微带共振器之平面图;图9A与9B图显示图8之Y形微带共振器之首先二个共振模式之电场分布轮廓;图10显示藉由沿着中心线探测若干不同位置而重新建构的图8之Y形微带共振器之基谐模式之电场强度;以及图11显示共振频率对于图8之Y形微带共振器之重新调整长度L之变化。
地址 新竹市新竹科学园区研新一路十六号