| 主权项 |
1.一种输出驱动强度校正电路,适用一动态随机存取记忆体,包括:一驱动强度自动补偿电路,依据一参考电阻,输出一自动补偿控制讯号;一输出调整逻辑,用以控制接收一资料输出与该自动补偿控制讯号二者之一,来进行输出;一输出产生器,当接收到该自动补偿控制讯号时,产生对应之一校正阻値;以及一输入比较器,一输入端接收一参考电压,另一输入端连接到该输出产生器之输出端与该动态随机存取记忆体,用以产生一比较输出値,来校正该动态随机存取记忆体之输出驱动强度。2.如申请专利范围第1项所述之输出驱动强度校正电路,其中该参考电阻系使用主机板上之一电阻。3.如申请专利范围第1项所述之输出驱动强度校正电路,其中该输出产生器与输入比较器系位于一北桥控制晶片上。4.如申请专利范围第1项所述之输出驱动强度校正电路,其中该输出产生器包括一拉升输出控制器与一拉低输出控制器。5.如申请专利范围第4项所述之输出驱动强度校正电路,其中该拉升输出控制器系由复数个PMOS电晶体所构成,该拉低输出控制器系由复数个NMOS电晶体所构成。6.如申请专利范围第5项所述之输出驱动强度校正电路,其中该输出产生器根据该自动补偿控制讯号,产生对应之校正阻値,系该自动补偿控制讯号控制该些PMOS电晶体或NMOS电晶体导通之数目产生。7.如申请专利范围第1项所述之输出驱动强度校正电路,更包括一控制逻辑,接收该比较输出値,产生一控制信号,来调整动态随机存取记忆体之输出驱动强度。8.一种输出驱动强度校正方法,使用具有一校正阻値之一输出产生器与一输入比较器,来校正一动态随机存取记忆体之输出驱动强度,该输入比较器之一输入端连接一参考电压,另一端连接到该动态随机存取记忆体与该输出驱动器,包括下列步骤:关闭该输出产生器;以该输入比较器所读取该动态随机存取记忆体,产生一输出値;当该输出値为一第一固定値时,校正该动态随机存取记忆体之一拉低驱动输出的输出驱动强度;以及当该输出値为一第二固定値时,校正该动态随机存取记忆体之一拉升驱动输出的输出驱动强度。9.如申请专利范围第8项所述之输出驱动强度校正方法,其中该第一固定値为逻辑0,该第二固定値为逻辑1。10.如申请专利范围第8项所述之输出驱动强度校正方法,其中校正该动态随机存取记忆体之拉低驱动输出的程序包括下列步骤:导通该输出产生器之拉升输出控制器;以该输入比较器所读取该动态随机存取记忆体,产生一输出値;当该输出値为该第一固定値时,调降该拉低驱动输出的输出驱动强度至该输出値为该第二固定値时才停止;以及当该输出値为该第二固定値时,调增该拉低驱动输出的输出驱动强度至该输出値为该第一固定値时才停止。11.如申请专利范围第8项所述之输出驱动强度校正方法,其中校正该动态随机存取记忆体之拉升驱动输出的程序包括下列步骤:导通该输出产生器之拉低输出控制器;以该输入比较器所读取该动态随机存取记忆体,产生一输出値;当该输出値为该第二固定値时,调降该拉升驱动输出的输出驱动强度至该输出値为该第一固定値时才停止;以及当该输出値为该第一固定値时,调增该拉升驱动输出的输出驱动强度至该输出値为该第二固定値时才停止。图式简单说明:第1图系显示一种习知之动态随机存取记忆体之输出驱动强度校正电路示意图;第2图系显示根据本发明较佳实施例之一种动态随机存取记忆体之输出驱动强度校正电路示意图;以及第3图系显示根据本发明较佳实施例之一种输出驱动强度校正方法流程图。 |
