具有分离闸极之双闸极半导体装置

摘要

一对半导体装置(100)系包括一基板(110)以及形成于该基板(110)上的一绝缘层(120)；一鳍部(210)可形成于该绝缘层上(120)，并包括多数侧表面与一顶表面；一第一闸极(410)可系形成于邻近该鳍部(210)之多数侧表面其中之一的绝缘层(120)上；一第二闸极(420)可形成在绝缘层(120)上，其系与第一闸极(410)隔开并且邻近该鳍部(210)之多数侧表面的另一侧表面。