无缺陷之薄而平坦的膜处理

摘要

本发明的制程在半导体晶圆表面形成铜的交互连结。在此制程中，起初于晶圆顶面提供窄和大的特征部分，然后采用电化学沉积过程来沉积第一铜层。该第一铜层完全填满了特征部分，并且在窄的特征部分上形成平坦的表面，而在大特征部分上形成非平坦的表面。藉由采用电化学机械沉积过程，将第二铜层沉积到第一铜层上，以在窄和大的特征部分上形成平面铜层。在此步骤之后，使用电抛光过程来降低平面铜层的厚度。