| 主权项 |
1.一种内金属介电层之平坦化方法,用以降低孔洞之形成,包括:提供一半导体基底,其中,上述半导体基底上形成有金属连线;形成一第一介电层于上述基底之顶面,覆盖上述金属连线;形成一前置平坦层于上述第一介电层之上,其中,上述前置平坦层具有高流动性、及良好之填洞能力;形成一涂布玻璃层于上述前置平坦层上;以回蚀刻方式去除上述涂布玻璃层,露出上述前置平坦层;以及形成一第二介电层于上述前置平坦层、及涂布玻璃层之上。2.如申请专利范围第1项所述之平坦化方法,其中,上述前置平坦层系为O3/TEOS氧化物层。3.如申请专利范围第1项所述之平坦化方法,其中,上述第一、第二介电层,系为采用PECVD法所形成之氧化层。4.如申请专利范围第3项所述之平坦化方法,其中,上述第一、第二介电层系为以SiH4为主要反应气体,所制作而得之氧化层。5.一种内金属介电层结构,应用于形成有金属连线之半导体基底上,以平坦化上述半导体基底并降低孔洞之形成,上述内金属介电层结构包括:一PE-SiH4氧化层,形成于上述半导体基底上;一O3/TEOS氧化层,形成于上述PE-SiH4氧化层之上;一涂布玻璃层及一PE-SiH4氧化层,依序形成于上述O3/TEOS氧化层之上。6.如申请专利范围第5项所述之内金属介电层结构,其中,上述PE-SiH4氧化层,系为采用PECVD法,以SiH4为主要反应气体制作而得。图式简单说明:第1图显示传统内金属介电层三明治结构之剖面示意图;第2a图至第2e图显示本发明内金属介电层平坦化方法之实施例流程剖面图。 |
