发明名称 | 互补式金氧半导体及其组合元件 | ||
摘要 | 一种互补式金氧半导体,系由一第一型薄膜电晶体以及一第二型薄膜电晶体所构成,而第一型薄膜电晶体包括一闸极、一通道区、一第一型掺杂区以及一源极掺杂区,其中通道区、第一型掺杂区与源极掺杂区系沿一第一方向排列配置。第二型薄膜电晶体则包括一闸极、一通道区、一第二型掺杂区以及一汲极掺杂区,其中通道区、第二型掺杂区与汲极掺杂区亦沿第一方向排列配置,且第二型掺杂区与第一型掺杂区系沿一第二方向排列配置,第二方向系与第一方向垂直。而且,各薄膜电晶体中的掺杂区藉由一导线电性相连,其中前述导线之延伸方向为第二方向。 | ||
申请公布号 | TW200425477 | 申请公布日期 | 2004.11.16 |
申请号 | TW092112792 | 申请日期 | 2003.05.12 |
申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 胡珍仪;孙文堂 |
分类号 | H01L27/105 | 主分类号 | H01L27/105 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路一号 |