发明名称 互补式金氧半导体及其组合元件
摘要 一种互补式金氧半导体,系由一第一型薄膜电晶体以及一第二型薄膜电晶体所构成,而第一型薄膜电晶体包括一闸极、一通道区、一第一型掺杂区以及一源极掺杂区,其中通道区、第一型掺杂区与源极掺杂区系沿一第一方向排列配置。第二型薄膜电晶体则包括一闸极、一通道区、一第二型掺杂区以及一汲极掺杂区,其中通道区、第二型掺杂区与汲极掺杂区亦沿第一方向排列配置,且第二型掺杂区与第一型掺杂区系沿一第二方向排列配置,第二方向系与第一方向垂直。而且,各薄膜电晶体中的掺杂区藉由一导线电性相连,其中前述导线之延伸方向为第二方向。
申请公布号 TW200425477 申请公布日期 2004.11.16
申请号 TW092112792 申请日期 2003.05.12
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 胡珍仪;孙文堂
分类号 H01L27/105 主分类号 H01L27/105
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路一号