具有焊锡突块之半导体装置及半导体装置突块形成方法

摘要

一种半导体装置突块形成方法，该半导体装置具有至少一接垫。首先，将一具有一铜层之凸块下金属层形成于该半导体装置之该接垫上。然后，于该凸块下金属层上选择性地形成一焊锡突块于对应该半导体装置之该接垫的位置，其中该焊锡突块系直接接触该凸块下金属层之铜层。接着，回焊该焊锡突块以产生熔融之焊锡沾湿(wet)并且连接于该半导体装置之该接垫。在执行该回焊步骤之后，以约135℃至约175℃之温度加热该半导体装置约30至约40分钟。本发明另揭示一种前述方法制得之具有焊锡突块之半导体装置。