| 摘要 |
一种晶圆级晶片尺寸封装之制造方法，其系在一晶片之主动面上形成一金属层，于该金属层上覆盖一光阻层，该光阻层形成有复数个线形曝露区与块状曝露区，于该些线形曝露区与块状曝露区形成一抗蚀金属层，一填充光阻填充于该些线形曝露区，并将复数个凸块形成于该些块状曝露区，之后，蚀刻该金属层而保留在该抗蚀金属层下之金属层，以形成复数个重分配迹线与凸块接垫，之后，形成一强化胶体于该晶片之主动面，该强化胶体系密封该些重分配迹线与该抗蚀金属层并支撑该些凸块之底部，以同时提供该些重分配迹线之保护与该些凸块之周围支持。 |
