于快闪记忆体内形成浮动闸之方法

摘要

本发明揭示一种于快闪记忆体元件中形成浮动闸之方法，其能够在沈积第一多晶矽薄膜及衬垫氮化物薄膜之前沈积缓冲氧化物薄膜之情形下，将缓冲氧化物薄膜之厚度限制在小于50埃()之一厚度上，来减小由壁氧化制程所导致之厚度增加；并在沈积第二多晶矽薄膜之前，在预处理清洁程序中透过缩短一氢氟酸(HF)浸渍时间来减少第一多晶矽薄膜之厚度；以及在衬垫氮化物薄膜剥除制程中透过去除至少50％之缓冲氧化物薄膜来保护第一多晶矽薄膜在衬垫氮化物薄膜剥除制程中免受腐蚀。