| 主权项 |
1.一制造半导体装置的方法,其包含一双波纹构造(20),该双波纹构造(20)包含一金属层(1),该金属层之上具有一备有通孔(3)之一第一介电层(2),一第二介电层(5)系加以配置于该第一介电层(2)之上并且备有一中间连接沟槽(6),其中一金属出现于该通孔(3)与中间连接沟槽(6)中,该金属形成具有一顶部(10)的一个金属线(9),其特征在于该方法更包含以下步骤:-该第二介电层的移除(5),-于该第一介电层(2)以及金属线(9)上提供一可抛层(12),-将该可抛层(12)加以平面化至金属线(9)的顶部(10),-于该可抛层(12)上提供一多孔介电层(13),以及-移除穿过多孔介电层(13)的可抛层(12)以便形成空气间隙(14)。2.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于一蚀刻中止层(4)系出现在第一介电层(2)与第二介电层(5)之间。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中所使用的金属系为铜(Cu)。4.如申请专利范围第3项之方法,其特征在于一非导电障蔽层(11)系在移除第二介电层(5)后提供于金属线(9)上。5.如申请专利范围第4项之方法,其特征在于氮化矽或碳化矽系被用作非导电障蔽层(11)。6.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于一旋转-上(spin-on)材料系被用于多孔介电层(13)。7.如申请专利范围第6项之方法,其特征在于一旋转-上(spin-on)材料包含SiLK。8.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于一电浆CVD层系被用于多孔介电层(13)。9.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于该可抛层(12)包含一聚合物,而其中该可抛层(12)的移除包含一加热步骤。图式简单说明:图1显示了该装置在一双波纹构造形成后穿过该装置之一横剖面。图2显示了第二介电层移除后之该装置。图3显示了在该金属层上提供一非导电障蔽层后之该装置。图4显示了提供一可抛层后之该装置。图5显示了平面化该可抛层后之该装置。图6显示了在该可抛层上提供一多孔介电层后之该装置。图7显示了移除该可抛层后之该装置。 |
