| 主权项 |
1.一种半导体装置,其具一种由一有机半导体材料所制造的半导体路径,一第一接触点以将载流子注入该半导体路径及一第二接触点自该半导体路径、半导体粒子及/或沿该半导体路径存在于该有机半导体材料的半导体群集抽取载流子。2.根据申请专利范围第1项的半导体装置,其中该半导体粒子及/或半导体群集系随机地分布于该有机半导体材料的体积内。3.根据申请专利范围第1项的半导体装置,其中该半导体粒子及/或半导体群集实质上系被放置于沿由该有机半导体材料制造的该半导体路径之一个表面上。4.根据申请专利范围第1至3项中任一项的半导体装置,其中该半导体粒子及/或该半导体群集系藉由烷基链在其表面被修饰。5.根据申请专利范围第1至3项中任一项的半导体装置,其中该半导体粒子及/或半导体群集系藉连接分子而键结。6.根据申请专利范围第5项的半导体装置,其中该连接分子系藉由以共价键而键结至该半导体粒子及/或该半导体群集。7.根据申请专利范围第1项的半导体装置,其中该半导体粒子及/或该半导体群集系被放置于被分隔离之位置放置,或是做为该有机半导体材料内的该半导体粒子及/或半导体群集的附聚物。8.根据申请专利范围第1项的半导体装置,其中该半导体粒子及/或半导体群集形成少于该半导体路径体积之20%。9.根据申请专利范围第1项的半导体装置,其中该半导体路径系藉源极、汲极及闸极之补充以形成一电晶体。10.一种制造根据申请专利范围第1至9项中任一项所述半导体装置的方法,其中一有机半导体及该半导体粒子及/或半导体群集的一溶液或悬浮液系于一溶剂中被制造,该溶液被施用于基材且该溶剂被蒸发,以得到半导体路径,且该半导体路径由其他组件补充以形成一半导体装置。11.根据申请专利范围第10项的方法,其中该半导体粒子及/或半导体群集系被表面官能基化。12.根据申请专利范围第10项的方法,其中一种键结至该半导体粒子及/或半导体群集的连接分子被加至该有机半导体的溶液及/或加至该半导体粒子及/或半导体群集的溶液。13.一种制造根据申请专利范围第1至9项中任一项所述半导体装置的方法,其中在一溶剂中制造一有机半导体的一第一溶液,于一溶剂中制造包括半导体粒子及/或半导体群集的一第二种溶液或悬浮液,提供一基材,制造包括至少一第一层及一第二层的一层堆叠,该第一及第二层的其中一层由该第一溶液制造且另一层由该第二溶液制造,以得到一种半导体路径,及该半导体路径藉由其他组件补充以形成一半导体装置。图式简单说明:第1图显示根据本发明半导体装置的具体实施例其中该半导体粒子系随机分布于有机半导体材料内。第2图显示根据本发明半导体装置的具体实施例其中半导体粒子被放置于沿该半导体路径的一个表面。第3图显示根据本发明半导体装置的具体实施例其中该半导体粒子系以连接分子键结。第4图显示一种图其说明有机场效电晶体的电流-电压特性曲线。第5图显示一种有机场效电晶体的电流-电压特性曲线。第6图显示一种图其说明各种场效电晶体的载流子的移动性。 |
