发明名称 积层式晶片共模滤波器
摘要 本发明系提供一种积层式晶片滤波器,其主要系由每一导电基板内皆对应贯穿导通一主磁柱体,以及于主磁柱体两侧皆形成侧磁柱体,俾与导磁基板压合后形成封闭磁路,且不连通外部电极之相邻导电基板内,以主磁柱体为中心,将两组以上之线圈互呈对称相设,藉使达到最佳的耦合效果,以得到最小之常模阻抗及最大之共模阻抗者。
申请公布号 TWI227069 申请公布日期 2005.01.21
申请号 TW092129455 申请日期 2003.10.23
申请人 美磊科技股份有限公司 发明人 林昀纬;刘庆鸿
分类号 H03H9/52 主分类号 H03H9/52
代理机构 代理人 林宜宏 台北县新庄市昌隆街八十八号四楼
主权项 1.一种积层式晶片滤波器,包括:数导电基板,其中央对应贯穿一主磁柱体,该主磁柱体两侧等距贯穿侧磁柱体,且每一层之导电基板系以主磁柱体为中心,而与侧磁柱体间形成连通外部电极之导电线路;及两导磁基板,系叠合前述之每一导电基板之间,而与主磁柱体及侧磁柱体形成封闭磁路者。2.如申请专利范围第1项所述之积层式晶片滤波器,其中该导电基板更包括:数第一导电基板,各于端部藉导电线路平面连通外部电极;及数第二导电基板,其导电线路系透过贯穿连通前述任两第一导电基板之外部电极。3.如申请专利范围第1项所述之积层式晶片滤波器,其中每一层导电基板间系形成导通孔(via)。4.如申请专利范围第1项所述之积层式晶片滤波器,其中该外部电极系以成对的数目布设。5.如申请专利范围第1项所述之积层式晶片滤波器,其中该导磁基板、主磁柱体及侧磁柱体,其构成材质主要系选自磁性氧化物粉末。6.如申请专利范围第1项所述之积层式晶片滤波器,其中该导电基板之材质系选自低温或高温共烧陶瓷。7.如申请专利范围第2项所述之积层式晶片滤波器,其中相邻第二导电基板之导电线路间系交错对称。8.如申请专利范围第2项所述之积层式晶片滤波器,其中该第二导电基板系不连通外部电极。9.如申请专利范围第5项所述之积层式晶片滤波器,其中该磁性氧化物粉末更可为内含玻璃之复合材料。图式简单说明:第一图系为一般共模滤波器之等效电路图。第二图系为一般共模滤波器于常模状态下之等效电路图。第三图系为一般共模滤波器于共模状态下之等效电路图。第四图系为一般共模滤波器之外观示意图。第五图系为本发明于积层后之架构透视图。第六图系为本发明于导电基板间的上透视图。第七图系为本发明试举一较佳实施例中之各层布设示意图。第八图系为本发明试举另一较佳实施例之上透视图。第九图系为本发明试举另一较佳实施例中之各层布设示意图。第十图系为本发明又进一步实施例。
地址 新竹县湖口乡自强路十八号