| 摘要 |
提供一种依据可确实执行写入之新颖驱动方法的磁性记忆装置及磁性记忆装置之写入方法。一对环状之写入线(6Xn)，(6Yn)系形成4个平行部份。配设在上段与下段之各平行部份的磁阻效应元件(12A)，(12B)系各自构成记忆胞(12Ev)和记忆胞(12Od)。当由电流驱动器(123n)，(133n)流通驱动点A→B方向之电流时，写入线(6Xn)，(6Yn)之电流彼此的方向在记忆胞(12Ev)之平行部份系一致，但是在记忆胞(12Od)之平行部份系成为彼此相反的方向。在记忆胞(12Ev)中，感应磁场系彼此增强，使磁阻效应元件(12A)，(12B)之各感磁层的磁化成彼此反平行。在记忆胞(12Od)中，感应磁场系相互抵消。 |
