发明名称 抑制二阶或高阶分布回馈式雷射之空间烧孔效应之装置与方法
摘要 一种表面发光半导体雷射,包括:一半导体雷射结构,其定义了一具有一主动层之内禀(intrinsic)空腔,邻接该主动层之相对的(opposed)披覆层,一底材与电极,藉由上述电极可以使得电流注入半导体雷射结构而致使该雷射结构以至少一表面发光之形式发出一输出讯号。上述内禀(intrinsic)空腔系配置以具有一位于一截止频带之较长波长边上之主要的模态。一横向限制光学模态之结构,例如一嵌入式异质结构配置(buriedheterostructure configuration),被包括。一结合上述内禀(intrinsic)空腔之二阶分布绕射光栅,上述绕射光栅具有复数个光栅元件,当上述电流注入该雷射结构时,上述光栅元件具有周期性交替之光学性质。上述光栅按照大小与形状以于内禀(intrinsic)空腔之内产生计时运作导管模态(counter-running guided modes),其中上述光栅具有一大于50%与小于90%之工作周期(duty cycle)。一移转上述内禀(intrinsic)空腔之内之计时运作导管模态(counter-running guided modes)之相位之装置亦被提供,其可以改变一模态图样以增加该输出讯号之近场强度。
申请公布号 TW200505119 申请公布日期 2005.02.01
申请号 TW093116661 申请日期 2004.06.10
申请人 奈米光学公司 发明人 汤姆哈斯利特;李威;席得马斯塔法萨吉;阿里M. 谢萨艾米瑞
分类号 H01S5/00 主分类号 H01S5/00
代理机构 代理人 高进福;高涌诚
主权项
地址 加拿大