| 摘要 |
本发明涉及一种双向阻挡型耐高压平面型装置，在该装置中，必须要求采用用于提高主接合和反向PN接合与主表面氧化膜接触处的击穿电压的接合构。即，采用下述的方法，其中，在从主PN接合，以及反向PN接合的P层露出表面的地方，取出电极，分别在氧化膜上，按照跨过PN接合的方式使电极伸出。另外，为了确保可靠性，在表面，在PN接合端部的中间，形成通道阻止层。由此，晶片尺寸增加，有效面积比率减少。本发明在于抑制该晶片面积的增加，增加有效面积率。通过下述的接合构，解决上述课题，在该接合构中，主阴电极和从表面取出的反向电极按照跨过PN接合的方式在氧化膜上伸出，并且不形成通道阻止层，使两个伸出电极的相反侧的空乏层，具有通道阻止效果。 |
