| 摘要 |
于本发明之薄膜电晶体(1)，半导体层(5)经由闸极绝缘层(4)而层叠于绝缘性基板(2)上之闸极(3)上，于其上形成源极(6)及汲极(7)，并且形成覆盖其上之保护层(8)，将半导体层(5)由气氛隔绝。半导体层(5)(活性层)采用例如添加有V族元素之ZnO之多晶状态之半导体所形成。ZnO系由于保护层(8)，表面能态减少，解除空乏层往内部扩散，因此成为显示本来之电阻值之n型半导体，自由电子成为过剩状态。由于对于ZnO，添加之元素起作用作为受体杂质，因此过剩之自由电子减少。藉此，用以排除过剩之自由电子之闸极电压下降，因此临限电压在0V附近。可实际使用一种半导体装置，其系将氧化锌用于活性层，并且被赋予将活性层与气氛隔绝之保护层者。 |
