将用于半导体元件之厚氧化物形成于Si或SiC上的方法PROCESS FOR FORMING THICK OXIDES ON SI OR SIC FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

摘要

于一矽或碳化矽基材之沟槽内，藉由氧化一沉积于沟槽内之多晶矽层，来形成一位于沟槽型萧基(Schottky)装置沟槽内之匣极氧化物。少量基材亦被氧化，藉此形成一位于基材与被形成之氧化物之间的良好界面。沟槽角落是藉由一起始形成其后移除之牺牲氧化物层来形成圆底。