| 摘要 |
〔课题〕提供一种可以一起使得滞后和氧化矽膜换算膜厚变小并且具有闸极绝缘膜之半导体装置及其制造方法。〔解决手段〕形成于矽基板1上之闸极绝缘膜6系由SiO2膜12和High－k(高度k)膜13所构成。High－k(高度k)膜13系包含迁移金属、铝、矽和氧之膜。此外，High－k膜13中之矽浓度系在和SiO2膜12间之界面附近以及和闸极电极7间之界面附近，更加大于迁移金属和铝之浓度。此外，矽浓度系最好是在和SiO2膜12间之界面附近以及和闸极电极7间之界面附近之至少一边，成为最大值，随着由这些界面开始离开而逐渐地减少，在High－k膜13之中心附近，成为最小值。 |
