发明名称 形成金属镶嵌结构的方法
摘要 本发明提供一种形成金属镶嵌结构的方法,其包括以下步骤。首先,在一基板上形成一介电层。接着,蚀刻介电层而形成一镶嵌开口。接着,进行电浆处理以除去在介电层上之残余杂质。接着,将金属填入镶嵌开口内。藉由在镶嵌开口蚀刻之后所进行的电浆处理,可避免由于残余杂质所造成的介电层剥离现象。
申请公布号 TW200511428 申请公布日期 2005.03.16
申请号 TW093106634 申请日期 2004.03.12
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 王明璁;苏迪希;杨佳明;蔡庆铭
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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