| 摘要 |
描述场效电晶体之垂直通道、场效电晶体及互补金氧半电路之形成方法与结构，包含一垂直单晶半导体结构之侧壁上的一汲极、体极和源极区域。其中一异质接面形成于电晶体之源极与体极间。其中源极区域与通道相对于体极区域系独立地晶格应变。且其中汲极区域包含一碳掺杂区域，以防止掺杂质(即硼和磷)扩散入体极。本发明减少短通道效应的问题，例如汲极引致能障降低、以及从源极经异质接面至汲极区域的漏电流。且于通道区域中独立地容许晶格应变，以经由选择半导体材料增加移动率。小于100奈米的闸极长度之尺寸变化问题，藉源极与体极区域间的异质接面克服。 |
