一种改善位元线接触电阻値的方法

摘要

本发明提供一方法以增加多晶矽层之接触面积，藉由沉积一层半球型多晶矽薄膜于位元线接触(bit linecontact)之形成过程中。半球型多晶矽呈半球形状，能够有效增大其接触面积，并降低其电阻值。因此，动态记忆体中由上层来之电流便可以容易且顺畅的流经动态记忆体的阵列式电晶体，相对地减少高电阻值之困扰问题。本发明之另一目的，是提供同一材质的多晶矽，在动态记忆体制造过程中，可消除常见之异质接合情形并大幅降低电阻值。