| 摘要 |
一种深沟渠式电容器的制造方法，其系先提供具有深沟渠之基底。其中，深沟渠底部之基底周围形成有下电极，且在深沟渠底部形成有电容介电层与第一导体层。接着，于深沟渠与罩幕层表面形成保护层。然后，于保护层表面形成领氧化层。继之，移除位于第一导电层表面之保护层与领氧化层。之后，于深沟渠中填入材料层。接着，移除位于深沟渠之部分材料层，以形成第一开口。然后，移除未被材料层覆盖之领氧化层及保护层。继之，移除第一开口侧壁之部分的罩幕层与保护层，以形成第二开口。之后，移除材料层。接着，于深沟渠中依序填入第二导电层与第三导电层。 |
