具改良性能及可靠度之金属氧半导体装置

摘要

一种金属氧半导体(MOS)装置，其包含一半导体层，该半导体层包括一第一传导型之基板及形成于该基板之至少一部分上的一第二传导型之第二层。该第二传导型之第一及第二源极／汲极区域形成于该第二层中且贴近该第二层之上表面，该第二层自该第一源极／汲极区域横向间隔开。在该第二层上方且贴近该第二层之上表面形成一闸极，且该闸极至少部分地位于该第一源极／汲极区域与该第二源极／汲极区域之间。该MOS装置进一步包含形成于该第二层中且位于该闸极与该第二源极／汲极区域之间的至少一电传导渠沟，该渠沟在贴近半导体层之上表面处形成且大体上垂直地穿过该第二层延伸至基板。该MOS装置显示出减少的热载子注入(HCI)效应及／或改良的高频性能。