铜/低K内连线结构之化学平坦化效能的改善IMPROVED CHEMICAL PLANARIZATION PERFORMANCE FOR COPPER/LOW-K INTERCONNECT STRUCTURES

摘要

一种位于一基板上的电内连线结构，包含：一第一低K介电层；与该第一低K介电层共价键结的一旋转涂布低KCMP保护层；以及一CVD沈积硬罩／CMP抛光停止层。在该第一低k介电层中可形成电导孔及导线。低KCMP保护层防止因为CMP制程从中心至边缘、或金属密度不同的不均匀对低k介电层所产生的伤害。低KCMP保护层的厚度可加以调整，以因应CMP制程中较大之变化，但不致对该结构之有效介电常数有显着影响。