半导体装置的制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法，在形成具有LDD结构，且具有采用金属硅化物形成的硅化物层的晶体管时，不产生硅衬底消减或碳污染。在硅衬底1上形成栅极绝缘膜2，在栅极电极3上形成和栅极绝缘膜2的材料相同种类的绝缘膜4。然后，形成第一绝缘膜6和第二绝缘膜，其中，第一绝缘膜6是和所述栅极绝缘膜2及所述栅极电极3上的绝缘膜4的材料不同的绝缘膜，第二绝缘膜是和栅极绝缘膜2及栅极电极3上的绝缘膜4的材料相同的绝缘膜。然后，使用干蚀刻形成由第二绝缘膜构成的衬垫8，然后，使用湿蚀刻形成LDD结构，形成用于形成硅化物层的开口部。其结果是，可不产生硅衬底的消减或碳污染而制造具有LDD结构或金属硅化物层的晶体管。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：在硅衬底上形成栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成栅极电极材料和绝缘膜；对所述栅极电极材料和所述绝缘膜进行构图形成栅极电极；以所述栅极电极为掩膜，注入低浓度杂质；在所述硅衬底上形成第一绝缘膜和第二绝缘膜；干蚀刻所述第二绝缘膜，介由所述第一绝缘膜，在所述栅极电极的侧部形成由所述第二绝缘膜形成的衬垫；注入和所述低浓度杂质相同导电型的高浓度杂质；通过湿蚀刻除去所述栅极电极上及所述栅极绝缘膜上的所述第一绝缘膜；湿蚀刻由所述第二绝缘膜形成的衬垫和所述栅极绝缘膜以及所述栅极电极上的绝缘膜；在整个面上形成过渡金属层后，通过使所述硅衬底及所述栅极电极上面的硅和过渡金属反应，在硅衬底和栅极电极上部的表层部形成硅化物层。