发明名称 控制半导体装置中资料驱动器强度及资料选通之方法
摘要 提供在一半导体装置中控制资料驱动器强度和资料选通驱动器强度之电路,该电路包括:一控制讯号产生单元,回应一第一位址码而产生一第一控制讯号,回应一第二位址码而产生一第二控制讯号及回应一第三位址码而产生一第三控制讯号;一资料驱动器强度控制单元,回应该第一控制讯号而被选择、回应该第二控制讯号而控制一输入资料之驱动器强度,及回应该第三控制讯号而微调该输入资料之驱动器强度;以及一资料选通驱动器强度控制单元,回应该第一控制讯号而被选择,回应该第二控制讯号而控制一输入资料选通之驱动器强度,及回应该第三控制讯号而微调该输入资料选通之驱动器强度。
申请公布号 TW200516599 申请公布日期 2005.05.16
申请号 TW093119298 申请日期 2004.06.30
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 廓承煜;金官彦
分类号 G11C7/12 主分类号 G11C7/12
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 韩国