第III族氮化物化合物半导体发光器件及其制造方法

摘要

本发明提供了在薄GaN衬底上形成第III族氮化物化合物半导体层的过程中抑制应变松弛层中位错的发生的第III族氮化物化合物半导体发光器件及其制造方法。发光器件(100)包括支承衬底(10)、GaN衬底(20)、n型接触层(30)、应变松弛层(40)(n型InGaN层)、发光层(50)、p型覆层(60)以及p型接触层(70)。GaN衬底(20)具有在10nm至10μm的范围内的厚度。应变松弛层(40)(n型InGaN层)具有在大于0％至3％的范围内的In组成比率X。

主权项

一种第III族氮化物化合物半导体发光器件，包括：GaN衬底；支承所述GaN衬底的支承衬底；发光层；在所述GaN衬底与所述发光层之间形成的第一导电半导体层；以及相对于所述发光层在与所述第一导电半导体层相反的侧面处形成的第二导电半导体层；其中所述GaN衬底具有在10nm至10μm的范围内的厚度，所述第一导电半导体层包含InGaN层；所述InGaN层包括n型InGaN层，并且所述n型InGaN层具有在从0.1％至2％的范围内的In组成比率X以使得辐射通量大于或等于总辐射通量的99％，当所述InGaN层中的In组成比率X为0.8％时所述总辐射通量为100％。