| 发明名称 |
A METHOD OF INTEGRATING L-SHAPED SPACERS IN A HIGH PERFORMANCE CMOS PROCESS VIA USE OF AN OXIDE-NITRIDE-DOPED OXIDE SPACER |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG111158(A1) |
申请公布日期 |
2005.05.30 |
| 申请号 |
SG20030005908 |
申请日期 |
2003.10.07 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD. |
发明人 |
ELGIN QUEK |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/8238;(IPC1-7):H01L21/302 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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