| 摘要 |
성장 기판의 상면 전체에 발광 구조체를 형성하기 위한 화합물 반도체층의 일부분을 형성하는 단계; 상기 형성된 화합물 반도체층을 부분적으로 노출시키며 서로 이격된 개구부와 다수의 발광셀 영역을 한정하며 서로 연결되는 격벽을 가지는 절연층을 상기 화합물 반도체층에 형성하는 단계; 상기 노출된 화합물 반도체층위에 발광 구조체를 구성하기 위한 화합물 반도체층의 나머지 부분을 형성하여, 상기 격벽에 의해 한정된 발광셀 영역에 발광셀별로 격리된 발광 구조체를 형성하는 단계; 상기 발광 구조체위에 지지기판을 접합시키는 단계; 상기 화합물 반도체층으로부터 상기 성장 기판을 분리하는 단계; 및 상기 화합물 반도체층위에 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 성장 기판은 상기 화합물 반도체층을 성장시키기 위한 기판인 수직형 발광소자 제조 방법이 제공된다. |
