| 摘要 |
본 발명은, 기판 상에 가해지는 층 배열부를 포함하는 EUV 파장 범위를 위한 미러로서, 층 배열부는 개별 층의 주기적인 순서의 적어도 1개의 주기부(P, P)로 각각 구성되는 복수개의 층 서브시스템(P'', P''')을 포함하고, 주기부(P, P)는 고굴절률 층(H'', H''') 및 저굴절률 층(L'', L''')을 위한 상이한 재료로 구성되는 2개의 개별 층을 포함하고, 각각의 층 서브시스템(P'', P''') 내에서 인접한 층 서브시스템의 주기부의 두께로부터 벗어나는 일정한 두께(d, d)를 갖는, EUV 파장 범위를 위한 미러에 관한 것이다. 미러는 기판으로부터 가장 멀리 떨어진 층 서브시스템(P''')이 기판으로부터 두 번째로 멀리 떨어진 층 서브시스템(P'')에 대한 주기부(P)의 개수(N)보다 큰 주기부(P)의 개수(N)를 갖고 및/또는 기판으로부터 가장 멀리 떨어진 층 서브시스템(P''')이 기판으로부터 두 번째로 멀리 떨어진 층 서브시스템(P'')의 고굴절률 층(H'')의 두께로부터 0.1 ㎚ 초과만큼 벗어나는 고굴절률 층(H''')의 두께를 갖는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 나아가 이러한 미러를 포함하는 마이크로리소그래피를 위한 투영 대물부에 그리고 이러한 투영 대물부를 포함하는 투영 노광 장치에 관한 것이다. |
