| 主权项 |
1.一种脊状波导管型半导体雷射,包括:主动层;半导体层,形成于该主动层上且具脊状导波路;绝缘膜,形成于上述半导体层上;第1电极层,经由该绝缘膜上所设置开口部而接触到该半导体层;以及条纹状第2电极层,在该第1电极层上沿该导波路方向形成;其特征在于:从共振器端面距该第2电极层端部之间的距离系在20m以内。2.如申请专利范围第1项之脊状波导管型半导体雷射,更包括:电极拉出线路,从该第2电极层拉出;以及焊接垫部,设于该电极拉出线路上,且位于该绝缘膜上。3.如申请专利范围第1或2项之脊状波导管型半导体雷射,其中,该第1电极层系具有依序积层着钛电极层与金电极层的构造,且该金电极层膜厚系在700nm以上。4.如申请专利范围第3项之脊状波导管型半导体雷射,其中,该绝缘膜膜厚系250nm以下。5.如申请专利范围第1或2项之脊状波导管型半导体雷射,其中,该第1电极层系具有依序积层着钛电极层与金电极层的构造;该第2电极层系镀金层;该金电极层膜厚系在200nm以上;该镀金层膜厚系800nm以上。6.如申请专利范围第5项之脊状波导管型半导体雷射,其中,在该钛电极层与该金电极层之间系形成阻障金属层。7.如申请专利范围第6项之脊状波导管型半导体雷射,其中,该阻障金属层系白金层。8.一种脊状波导管型半导体雷射,包括:主动层;半导体层,形成于该主动层上且具脊状导波路;绝缘膜,形成于该半导体层上;第1电极层,经由该绝缘膜上所设置开口部而接触到该半导体层;以及第2电极层,在该第1电极层上沿导波路方向,从共振器其中一端面起连续形成至另一端面;其特征在于:在该其中一端面附近、与另一端面附近的该第2电极层宽度,系较小于其他区域的该第2电极层宽度。9.如申请专利范围第8项之脊状波导管型半导体雷射,更包括:电极拉出线路,从该第2电极层拉出;以及焊接垫部,设于该电极拉出线路上,且位于该绝缘膜上。10.如申请专利范围第8或9项之脊状波导管型半导体雷射,其中,该第2电极层之平面形状系包括:第1矩形;以及第2矩形,位于该第1矩形二侧,且宽度较小于该第1矩形。11.如申请专利范围第8或9项之脊状波导管型半导体雷射,其中,该第2电极层之平面形状系具有该第2电极层宽度朝向该端面呈逐渐缩小的推拔形状。12.一种脊状波导管型半导体雷射,包括:主动层;半导体层,形成于该主动层上,且具脊状导波路;绝缘膜,形成于该半导体层上;第1电极层,经由该绝缘膜上所设置开口部而接触到该半导体层;电极拉出线路,从该第1电极层拉出;焊接垫部,设置于该电极拉出线路上,且位于该绝缘膜上;以及第2电极层,形成于该焊接垫部上。13.如申请专利范围第12项之脊状波导管型半导体雷射,其中,该第1电极层系具有依序积层着钛电极层与金电极层的构造;且该金电极层膜厚系700nm以上。14.如申请专利范围第13项之脊状波导管型半导体雷射,其中,该第2电极层系镀金电极层。图式简单说明:第1图系实施形态1的脊状波导管型半导体雷射立体示意图之一例。第2图系第1图的脊状波导管型半导体雷射平面图。第3图系实施形态1中,Au蒸镀电极膜厚与最大光输出功率Pmax间之关系。第4图系实施形态1中,Au蒸镀电极膜厚与元件破坏电流値间之关系。第5图系实施形态2的脊状波导管型半导体雷射平面图。第6图系实施形态3的脊状波导管型半导体雷射平面图。第7图系实施形态4的脊状波导管型半导体雷射平面图。第8图系习知脊状波导管型半导体雷射的立体示意图。第9图系第8图的脊状波导管型半导体雷射平面图。 |
